由于近期市場反饋，Toshiba的光耦TLP182-GB-TPL,E已經(jīng)停產(chǎn)，尋求替代料，我們推薦EVERLIGHT品牌的AC貼片光耦EL354NA(TB)-VG來替代，經(jīng)客戶實驗試產(chǎn)，可以100%全面替換，其規(guī)格后面的-V表示通過VDE安規(guī)認證，G表示符合無鹵要求，同時符合其他安規(guī)與環(huán)保RoHS要求、無鉛等，其他電子特性如下：
光耦EL354N-G使用額定最大范圍
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項目
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符號
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最大范圍
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單位
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輸入端
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順向電流
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IF
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±50
|
mA
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峰值電流（1us脈沖）
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IFP
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1
|
A
|
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功率消耗
|
Pd
|
70
|
mW
|
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輸出端
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功率消耗
|
Pc
|
150
|
mW
|
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3.7
|
mW/℃
|
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集電極電流
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Ic
|
50
|
mA
|
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集電極-發(fā)射極電壓
|
Vceo
|
80
|
V
|
|
發(fā)射極-集電極電壓
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Veco
|
6
|
V
|
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總的功率消耗
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Ptot
|
200
|
mW
|
|
隔離電壓
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Viso
|
3750
|
V
|
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工作溫度
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Topr
|
-55~100
|
℃
|
|
儲存溫度
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Tstg
|
-55~125
|
℃
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|
焊錫溫度
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Tsol
|
260
|
℃
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光耦EL354N-G輸入端特性
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項目
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符號
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最小值
|
平均值
|
最大值
|
單位
|
條件
|
|
順向電壓
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VF
|
---
|
1.2
|
1.4
|
V
|
IF=±20mA
|
|
反向電流
|
IR
|
---
|
--
|
10
|
uA
|
VR=4V
|
|
輸入端電容
|
Cin
|
---
|
50
|
250
|
pF
|
V = 0, f = 1kHz
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光耦EL354N-VG輸出端特性
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項目
|
符號
|
最小值
|
平均值
|
最大值
|
單位
|
條件
|
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集電極與發(fā)射極暗電流
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Iceo
|
---
|
---
|
100
|
nA
|
VCE = 20V, IF = 0mA
|
|
集電極-發(fā)射極擊穿電壓
|
BVceo
|
80
|
--
|
---
|
V
|
IC = 0.1mA
|
|
發(fā)射極-集電極擊穿電壓
|
BVeco
|
7
|
---
|
---
|
V
|
IE = 0.1mA
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光耦EL354N-VG基本的轉(zhuǎn)換特性
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品名型號
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圖標符號
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最小值
|
平均值
|
最大值
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單位
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測試條件
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按CTR分
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EL354N
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CTR
|
20
|
---
|
300
|
%
|
IF=±1mA,Vce=5V
|
|
EL354NA
|
50
|
---
|
150
|
|
集電極發(fā)射極飽和電壓
|
Vce(sat)
|
---
|
0.1
|
0.2
|
V
|
IF = ±20mA ,IC = 1mA
|
|
隔離阻值
|
Rio
|
5×1010
|
1011
|
---
|
Ω
|
VIO = 500Vdc,40~60% R.H.
|
|
浮動電容
|
Cio
|
---
|
0.6
|
1.0
|
pF
|
VIO = 0, f = 1MHz
|
|
截止頻率
|
fC
|
---
|
80
|
---
|
kHz
|
VCE = 5V, IC = 2mARL = 100Ω, -3dB
|
|
上升時間
|
tr
|
---
|
---
|
18
|
us
|
VCE = 2V, IC = 2mA,RL = 100Ω
|
|
下降時間
|
tf
|
---
|
---
|
18
|
us
|
安規(guī)認證通過：UL(No.E214129)；VDE(No.132249)；CSA(No.1408633)；SEMKO(No.716108)；FIMKO(No.FI22807)；NEMKO(No.P06206474)；DEMKO(No.313924)